Найден новый полупроводник взамен кремния

Команда ученых из MIT выяснила, что для изготовления микросхем кубический арсенид бора обладает лучшими свойствами, нежели традиционный кремний. В ходе исследовательской работы специалисты обнаружили, что данное соединение в 10 раз эффективнее проводит тепло, электроны и ионы.



Главный профессор машиностроения MIT Ган Чен назвал кубический арсенид бора c-BAs исключительным веществом для производства полупроводниковой продукции. Сравнительно с кремнием с теплопроводностью 148 Вт/мК, арсенид бора с его 1200 Вт/мК рассеивает тепло в 10 раз эффективнее. С таким показателем теплопроводности не может потягаться даже используемая в системах охлаждения медь, параметр которой равен 401 Вт/мК.

На внедрение вышеописанного вещества в полупроводниковые компоненты для массовых гаджетов может понадобиться не один десяток лет, и неясно, сможет ли он вообще функционировать. Тем не менее это соединение способно помочь разработчикам выйти на новый уровень создания микросхем, которые в перспективе смогут стать качественнее, быстрее и емче.